首页 >产品中心>
首页 >产品中心>
走进粉磨机械的世界，把握前沿动态资讯
2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。 而碳化 2024年1月2日 中文名:碳化硅,英文名:Silicon Carbide (Black),CAS:409-21-2,化学式:CSi,分子量:40.1,密度:3.22 g/mL at 25 °C (lit.),熔点:2700 °C (lit.),沸点:2700℃,水溶性:Soluble 碳化硅_化工百科 - ChemBK
了解更多
2023年6月22日 碳化硅，也称为 SiC，是一种半导体基础材料，由纯硅和纯碳组成。 您可以在 SiC 中掺入氮或磷来形成 n 型半导体，或者掺入铍、硼、铝或镓来形成 p 型半导体。2019年9月5日 碳化硅功率模块的封装工艺和封装材料基本沿用了硅功率模块的成熟技术，在焊接、引线、基板、散热等方面的创新不足，功率模块杂散参数较大，可靠性不高 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
了解更多
2023年10月30日 SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。. 碳化硅原材料核心优势体现在：. （1）耐 2019年9月25日 与氮化镓、氮化铝、氧化镓等禁带宽度大于2.2eV的材料相比，碳化硅（ SiC ）被归类为宽禁带半导体材料，也被国内称为第三代半导体材料。. 分类细分. 从材料端来看，半导体行业将其分为不同代数：第 硅碳化物（SiC）：探索其引人注目的特性与应用领域 ...
了解更多
2019年6月13日 技术领先国家和国际大型企业纷纷投入到碳化硅和氮化镓的研发和产业化中，产业链覆盖材料、器件、模块和应用等各个环节。. 第三代半导体器件的优势主要表现在：（1）比导通电阻是硅器件的近千分之 2023年8月12日 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）组成的 半导体 化合物，属于宽带隙（WBG）材料家族。 它的物理键非常牢固，使半导体具有很高的 机械 、化学和热 碳化硅的主要特性是什么？为什么碳化硅在高频下的性能 ...
了解更多
2017年2月23日 SiC的物性和特徴. SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。 結合力非常強，在熱量上、化學上、機械上皆很安定。 SiC存在各種晶 2019年5月7日 本发明将含杂的碳化硅粉体装载于高纯石英坩埚内进行反应，以减少其它杂质的带入。经反复试验证实：碳化硅物料装填的厚度越薄，杂质的效果越好，故本发明还提出含杂的碳化硅粉体厚度为1～8cm。 深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
了解更多
2021年12月16日 第一代是混合物半導體，像矽鍺之類。因為是混合物，高壓和高電流容易導致 pn junction 被破壞。好處是容易製作，特別是 IC，雜質混進去就好。 而所謂的第二代半導體和以後，改為化合物半導體。2020年3月31日 碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上碳原子与硅原子相互作用成键时，发生了电子在壳层上的转移，形成了键能更为坚强的SP3杂化轨道，这就是碳化硅形成类金刚石的结构、具有 ...碳化硅的结构-碳化硅的结晶结构 - Silicon Carbide
了解更多
2023年12月6日 国家陆续出台了多项政策，鼓励碳化硅行业发展与创新，如科技部在2020年发布的《“战略性先进电子材料”重点专项2020年度项目》中指出支持功率碳化硅芯片和器件在移动储能装置中的应用(应用示范类)，为碳化硅行业提供了良好的发展环境。硅或 碳化硅 (SiC) 是半导体和电子设备行业最常用的材料。尽管它们的名称中都有 "硅 "这个元素，但它们在大多数问题上都有不同的特点。本文深入探讨了硅和碳化硅的迷人领域，研究了它们的特性、应用，以及它们在电子产品及其他产品的出现中所发挥的日益重要的作用。碳化硅与硅：两种材料的详细比较
了解更多
2010年7月19日 sp3杂化 碳化硅水原子晶体，不存在碳化硅微粒，一个碳周围连着四个硅，以共价键相连。碳化硅的结构类似于金刚石。 已赞过 已踩过 你对这个回答的评价是？ 评论 收起 推荐律师服务： 若未解决您的问题，请您详细描述您的问题，通过百度律 ...碳化硅中的C原子的杂化方式是什么？为什么？（怎样判断杂 ...
了解更多
2022年8月26日 门极回路杂散电感Ltrace是驱动回路PCB布局时引入的，而杂散电感Lsource则是封装管脚源极到芯片内部带来的寄生电感。对于漏极到芯片背面的寄生电感Ldrain并没有在驱动回路中，因此不在分析的范围中。图2 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型2024年4月19日 表1、碳化硅器件典型封装结构 1、单管翻转贴片封装 阿肯色大学团队借鉴BGA的封装技术， 提出了一种单管的翻转贴片封装技术，如图2所示。该封装通过一个金属连接件将芯片背部电极翻转到和正面电极相同平面位置，然后在相应电极位置上植上焊锡球，消除了金属键合线和引脚端子。半导体碳化硅(SIC)功率器件封装关键技术及未来展望的详解；
了解更多
2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。2024年8月1日 通过减小高频开关电流回路的面积实现低杂散电感是碳化硅封装的一种技术发展趋势。然而，实现碳化硅封装技术的突破并大规模应用，还需要开展大量的工作，以下列举一些核心挑战以及前景展望： 1、低杂散电感封装结构综合性能的进一步研究验证。碳化硅（SiC）功率器件封装：揭秘三大核心技术-电子工程专辑
了解更多
2024年4月14日 表1、碳化硅器件典型封装结构 1.1单管翻转贴片封装 阿肯色大学团队借鉴BGA的封装技术， 提出了一种单管的翻转贴片封装技术，如图2所示。该封装通过一个金属连接件将芯片背部电极翻转到和正面电极相同平面位置，然后在相应电极位置上植上焊锡球，消除了金属键合线和引脚端子。2019年6月13日 （2）碳化硅功率模块的封装工艺和封装材料基本沿用了硅功率模块的成熟技术，在焊接、引线、基板、散热等方面的创新不足，功率模块杂散参数较大，可靠性不高。 （3）碳化硅功率高温封装技术发展 系列详解第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇_材料
了解更多
2023年10月27日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...2023年12月3日 不过今天，我们不聊氮化镓，今天的纳微小课堂我们用四个问题向大家展示另一位第三代半导体的强力选手——碳化硅。 问：什么是碳化硅（SiC）？答：碳化硅（SiC）由硅（原子序数14）和碳（原子序数6），形成类似于金刚石的强共价键，是一种坚固的六方结构化合物，具有宽禁带半导体特性。四个问题带你对半导体碳化硅(SIC)有基本了解; - 知乎
了解更多
2017年2月23日 碳化矽、SiC﹙Silicon Carbide﹚是比較新的半導體材料。一開始 SiC的物性和特徴 SiC是由矽﹙Si﹚和碳﹙C﹚所構成的化合物半導體材料。結合力非常強，在熱量上、化學上、機械上皆很安定。利用微波消解技术和酸碱化学介质对微纳米碳化硅粉体中Fe_2O_3,Si,SiO_2去除工艺进行了研究.正交试验结果表明:微波功率4 k W,微波频率2450 MHz时,反应温度90℃,盐酸浓度3 molL~(-1),反应时间10 min,液固比4:1,Fe_2O_3去除率达到97.4%;反应温度90℃,氢氧微波酸碱处理微纳米碳化硅粉体杂质去除工艺研究 - 百度学术
了解更多
2022年12月1日 1 PVT法生长碳化硅晶体 1955年，Lely等首次提出了一种用于制备碳化硅晶体的升华技术，自此开启了碳化硅材料制备及器件制造的新局面。 遗憾的是，由于该方法所得晶体尺寸有限、形状不规则且容易包含多种晶型，难以应用于实际器件制造中。2023年12月5日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...半导体碳化硅（SIC）封装的三大主流技术； - 知乎
了解更多
2022年8月26日 门极回路杂散电感Ltrace是驱动回路PCB布局时引入的，而杂散电感Lsource则是封装管脚源极到芯片内部带来的寄生电感。对于漏极到芯片背面的寄生电感Ldrain并没有在驱动回路中，因此不在分析的范围 2022年5月18日 碳化硅模块封装的主要问题 近几十年来，以新发展起来的第3代宽禁带功率半导体材料碳化硅（SiC）为基础的功率半导体器件，凭借其优异的性能备受人们关注。SiC与第1代半导体材料硅（Si）、锗（Ge）和第2代半导体材料砷化镓（GaAs）、磷化镓 ...哈尔滨理工大学蔡蔚教授团队研究成果：SiC 功率模块封装 ...
了解更多
2024年3月28日 “ 碳化硅模块的封装，话题热度再度拔高。 随着碳化硅器件尺寸的不断缩小和功率密度的迅速提升，功率模块的封装和热管理面临着前所未有的挑战。 目前，碳化硅模块的封装大多还沿用硅基的封装技术。而传统封装结构和散热装置热阻较大，难以满足碳化硅器件高热流密度冷却需求。2023年9月26日 碳化硅(silicon carbide，SiC)功率器件作为一种宽禁带器件，具有耐高压、高温，导通电阻低，开关速度快等优点。如何充分发挥碳化硅器件的这些优势性能则给封装技术带来了新的挑战：传统封装杂散电感参数较大，难以匹配器件的快速开关特性；器件高温工作时，封装可靠性降低；以及模块的多功能 ...碳化硅封装——三大主流技术！-电子工程专辑
了解更多
碳化硅 碳化硅（SiC）是一种由硅（Si）和碳（C）元素组成的化合物。其化学式为 SiC，一般来说，碳化硅是由碳和硅以 1:1 的比例结合而成。纯碳化硅通常是一种透明晶体；但在工业应用中，碳化硅中的杂质可能会导致颜色的变化，例如常见的碳化硅钙化现象。2023年6月3日 金刚砂，也称为碳化硅（SiC），是由硅和碳组成的晶体化合物。 它于 19 世纪末首次被发现，现已成为具有多种工业应用的重要材料。 碳化硅的一种特殊形式是碳化硅。 碳化硅是指碳化硅的合成化合物，主要用作磨料。碳化硅 性质、形成、发生
了解更多
2020年5月8日 产业化的碳化硅晶体的生长方法为物理气相输运（PVT）法，高温化学气相沉积（HTCVD）法为补充。物理气相输运法的核心步骤为： 碳化硅固体原料；加热后碳化硅固体变成气体；气体移动到籽晶表面；气体在籽晶表面生长为晶体。2023年3月31日 门极回路杂散电感L trace 是驱动回路PCB布局时引入的，而杂散电感L source 则是封装管脚源极到芯片内部带来的寄生电感。对于漏极到芯片背面的寄生电感L drain 并没有在驱动回路中，因此不在分析的范围中。图2 新的TO-247-4封装的碳化硅MOSFET模型SiCer小课堂 TO-247封装碳化硅MOSFET中引入辅助源极管 ...
了解更多
2013年4月29日 2010-07-19 碳化硅中的C原子的杂化方式是什么？为什么？（怎样判断杂化方式... 5 2011-08-07 原子晶体中心原子杂化轨道类型的判定。例如SiC的中心原子的杂... 4 2017-07-28 碳化硅分类是什么？ 5 2016-02-15 CO4 3- 的杂化类型以及空间构型
了解更多