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2023年9月14日 碳化硅(SiC)具有更高热导率、高击穿场强等优点,适用于制作高温、高频、高功率器件,新能源汽车是未来第一大应用市场,2027年新能源汽车导电型SiC 功率器件市 2023年2月26日 衬底环节是碳化硅器件制造中最核心、最困难的环节。碳化硅衬底价格高是制约 碳化硅应用落地的主要原因。由于切片环节良率较低，切抛磨环节约占衬底总成 本 行 业 研 机械设备 关注碳化硅设备国产化突破和加速 究 2023 ...
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3 天之前 国产芯片制造装备打破国外垄断：我国首套碳化硅晶锭激光剥离设备投产. 中国芯,中国造,中国装备!8月23日,记者从江苏通用半导体有限公司获悉,由该 ...2022年8月24日 就技术路线而言，碳化硅的单晶生产方式主要有物理气相传输法（PVT）、高温气相化学沉积法（HT-CVD）、液相法（LPE）等方法，目前商用碳化硅单晶生长主 新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延
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2022年12月15日 长晶炉基本实现国产替代. 事实上，碳化硅衬底制备的关键环节在于长晶工艺，由于碳化硅需要在高温（>2,200℃）、真空环境中生长，对温场稳定性的要求高， 2019年9月5日 碳化硅功率器件整个生产过程大致如下图所示，主要会分为碳化硅单晶生产、外延层生产、器件制造三大步骤，分别对应产业链的衬底、外延、器件和模组三大环 第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
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2023年6月22日 碳化硅是怎么制成的？ 最简单的碳化硅制造方法是在高达 2500 摄氏度的高温下熔化硅砂和碳（例如煤）。颜色更深、更常见的碳化硅通常包含铁和碳杂质，但纯 2022年12月15日 集微网了解到，相对于硅产业而言，碳化硅作为一个新材料，其发展时间较短，国内在碳化硅领域与国际领先水平的差距并没有那么大。同时，碳化硅器件为功率半导体产品，属于成熟制程范畴，芯片制造一般只需要350nm的工艺制程，国内半导体企业都能从中看到超越国际巨头的新机遇。产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_
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2023年2月16日 半导体与半导体生产设备行业：碳化硅，把握能源升级+技术迭代的成长机遇（33页）.pdf ... 风电、新能源车、充电桩、服务器 UPS 电源、工控电源、白电，近年来已陆续开始 尝试使用碳化硅器件替代或部分替代原有的硅基 IGBT。 在多种应用的驱动 ...2023年9月27日 作者：慧博智能投研碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关公司深度梳理近年来，随着5G、 新能源 等高频、大功率射频及电力电子需求的快速增长，硅基半导体器件的物理极限瓶颈逐渐凸显，如何在提升功率的同时限制体积、发热和成本的快速膨胀成为了半导体产业内重点关...碳化硅（SiC）行业深度：市场空间、未来展望、产业链及相关 ...
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2023年11月12日 实际上，国内外碳化硅切磨抛环节技术路线差距并不大，主要还在设备的精度和稳定性上，这对衬底加工的效率和产品良率有关键影响，目前国内企业相比国外还有差距，因此碳化硅切磨抛装备仍以进口为主，导致国内厂商生产成本居高不下，碳化硅切磨抛设备的国产替代需求迫切，还需相关厂商 ...2024年1月17日 碳化硅在制程上，大部分设备与传统硅生产线相同，但由于碳化硅具有硬度高等特性，需要一些特殊的生产设备 ，如高温离子注入机、碳膜溅射仪、量产型高温退火炉等，其中是否具备高温离子注入机是衡量碳化硅生产线的一个重要标准。 欢迎 ...一个能打的都没有？SiC芯片制造关键设备再突破，实现 ...
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2023年5月21日 碳化硅的磨抛设备分为粗磨和细磨设备，粗磨方面国产设备基本可以满足加工需求，但是细磨方面主要采购来自于日本不二越、英国log-itech、日本disco等公司的设备，采用设备与工艺打包销售的方式，极大的增加了工艺厂商的使用成本和维护成本。2022年8月24日 5）器件制造与封装测试，所制造的电子电力器件及模组可通过验证进入应用环节。 碳化硅产品从生产到应用的全流程历时较长。以碳化硅功率器件为例，从单晶生长到形成衬底需耗时1 个月，从外延生长到晶圆前后段加工完成需耗时6-12 个月，从器件制造再到新能源｜碳化硅产业链研究（产业链篇）_器件_工艺流程_外延
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2020年12月2日 碳化硅功率器件与传统硅功率器件制作工艺不同，不能直接制作在碳化硅单晶材料上，必须在导通型单晶衬底上额外生长高质量的外延材料，并在外延层上制造各类器件。 碳化硅一般采用PVT方法，温度高达2000多度，且加工2023年2月27日 受益标的：（1）宇环数控：国内稀缺的高端数控机床研发制造企业，以超硬材料机加工核心技术为基，切入碳化硅研磨设备。 （2）快克股份：深耕微电子封装三十年，在二级封装锡焊设备领域国内第一、全球领先，向上切入一级封装，纳米银烧结设备将打破 机械设备行业周报：关注碳化硅设备国产化突破和加速 ...
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2023年9月14日 SiC：需求乘“车”而起，材料设备商迎国产化机遇 2 1、关键假设、驱动因素及主要预测 关键假设： 1）新能源汽车渗透率持续提升，SiC迎来上车导入期；2）国产材料商、设备商市场份额逐步提升。驱动因素： 1）新能源汽车渗透率持续提升，我们预计未来三年全球装机量CAGR约30%。2024年5月17日 碳化硅外延设备是一种用于在碳化硅衬底上生长外延层的设备，碳化硅外延设备在制造高质量碳化硅外延片和晶片方面具有广泛的应用。 在下游需求刺激下，近两年中国碳化硅外延片生产商掷出了数倍的扩产计划，我国碳化硅外延设备市场规模持续增长。2024年中国碳化硅产业链图谱研究分析（附产业链全景图 ...
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2023年8月9日 半导体工艺与设备 1、半导体工艺研究、梳理和探讨。 2、半导体设备应用、研发和进展。 3、建华高科半导体设备推广，包括：曝光机、探针台、匀胶机和切片机。 4、四十五所半导体设备推广，包括：湿化学设备、先进封装设备、电子元器件生产设备等。2024年5月24日 中国粉体网讯 在半导体产业链中，以先进陶瓷为代表的关键零部件是支撑半导体设备实现先进制造的重要载体，也是目前国产化替代的重要领域。 同时，以碳化硅为代表的第三代半导体材料已展现出极其重要的战略性应用价值，其中碳化硅单晶制备占据价值链 谈一谈碳化硅单晶技术发展动态与趋势——访天津理工大学 ...
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2024年8月22日 碳化硅功率半导体生产主要包括前道的晶圆加工，包括长晶、切割、研磨抛光、沉积外延；第二部分芯片加工，这部分跟硅基IGBT类似。目前我们搭建有碳化硅产业链交流群，欢迎大家识别下方二维码，关注公众号，通过底部菜单申请加入。2022年12月1日 半导体产业的基石是芯片，制作芯片的核心材料按照历史进程分为三代：第一代半导体材料主要是高纯度硅，目前被广泛使用；第二代化合物半导体材料包括砷化镓和磷化铟；第三代化合物半导体材料以碳化硅和氮化镓为代表。碳化硅因其出色的物理性能，如高禁带宽度、高电导率和高热导率，有望 ...一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区
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2023年11月30日 综合来看，国内碳化硅关键设备产业已经逐步发力，大部分设备类型都已有国产替代方案，在碳化硅产业爆发的情况下，未来碳化硅设备市场也将不断增大，预计此轮利好将持续2-3年，在此期间碳化硅设备需求将持续增长，将为国内设备厂商带来巨大的发展 碳化硅烧成窑炉发展自古至今都以燃料为主要依据。即从柴窑→煤窑→油窑→气窑。也就是说从烧固体燃料窑炉逐渐进化为烧气体燃料的窑炉，其发展也与耐火材料有较大关系，随着耐火材料工业进化，窑炉逐渐由重质窑→半重质窑→轻体窑。碳化硅烧成窑 - 百度百科
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2021年12月5日 碳化硅衬底可分为导电型和半绝缘型。半绝缘型具有较高的电阻率，主要用于制造氮化镓微波射频器件，是无线通讯领域的基础零部件。导电型的电阻率较低，由导电型碳化硅衬底生长出的碳化硅外延片，可以进一步制作功率器件，广泛应用于新能源汽车、光伏、智能电网、轨道交通等领域。2019年9月5日 碳化硅功率器件生产过程 衬底方面：通常用Lely法制造，国际主流产品正从4英寸向6英寸过渡，且已经开发出8英寸导电型衬底产品，国内衬底以4英寸为主，质量相对薄弱，主要用于生产10A以下小电流产品，目前单晶生长缓慢且品质不够稳定是碳化硅价格高、市场推广慢的重要原因。第三代半导体发展之碳化硅（SiC）篇 - 知乎
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氮化镓(gan)和碳化硅(sic)芯片的生产工艺流程 概述说明 1. 引言 1.1 概述 本文将对氮化镓（GaN）和碳化硅（SiC）芯片的生产工艺流程进行概述说明。GaN和SiC是两种具有广泛应用前景的半导体材料，它们在高频功率电子器件以及光电子器件等领域有着重要的 ...2024年3月29日 一、半导体设备 碳化硅（SiC）零部件行业的相关基本概念 （一）半导体设备零部件行业的基本概况 半导体行业遵循“一代技术、一代工艺、一代设备”的产业规律，半导体设备 的升级迭代很大程度上有赖于其 零部件 的技术突破。精密零部件不仅是半导体设备制造环节中难度较大、技术含量较高的 ...半导体设备碳化硅（SiC）零部件行业研究报告-电子工程专辑
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5 天之前 2023 年连城数控液相法碳化硅长晶炉顺利下线。新设全资子公司连科半导体与清华大学合作，发展半导体相关业务，规划建设半导体大硅片长晶和加工设备、碳化硅长晶和加工设备的研发和生产制造基地。2024年5月上线“新一代8英寸碳化硅长晶炉”。2023年7月14日 因为碳化硅在生产环节存在单晶生产周期长、环境要求高、良率低等问题，碳化硅衬底的生产中的长晶环节需要在高温、真空环境中进行，对温场稳定性要求高，并且其生长速度比硅材料有数量级的差异。因此，碳化硅衬底生产工艺难度大，良率不高。碳化硅“狂飙”：追赶、内卷、替代Focus_
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2021年7月5日 碳化硅与硅基器件的原理相似，但碳化硅无论是材料还是器件的制造难度，都显著高于传统硅基。其中大部分的难度都是碳化硅材料高熔点和高硬度所需特殊工艺带来的。碳化硅器件的生产环节主要包括衬底制备、外延和器件制造封测三大步骤。2021年8月16日 除此之外，碳化硅基功率器件在开关频率、散热能力、损耗等指标上也远好于硅基器件。碳化硅材料具有更高的饱和电子迁移速度、更高的热导率、更低的导通阻抗。1、阻抗更低，可以缩小产品体积，提高转换效率；2、频率更高，碳化硅器件的工作频率可达硅基器件的10 倍，而且效率不随着频率的 ...第三代半导体之碳化硅：中国半导体的黄金时代 - 知乎
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中国，上海—2024年3月20日，半导体行业盛会 SEMICON China 2024启幕，全球高端半导体设备制造商德国PVA TePla集团再次亮相，并向行业展示其最新打造的国产碳化硅晶体生长设备“SiCN”。该设备专为中国市场定制，并结合半导体行业生产特点 ...2024年1月2日 国内企业也在积极研发和探索碳化硅器件的产业化，已经形成相对完整的碳化硅产业链，部分产业节点有所突破。 ... 另外有一个中国特有的原因，碳化硅的生产设备 西方尚未作为重点实施禁运，因此不少地区在扩建碳化硅产线。中国碳化硅的 ...回顾2023：碳化硅供不应求 产业驶上“快车道”_
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2023年6月22日 碳化硅晶片生产的这两种方法都需要大量的能源、设备和知识才能成功。 碳化硅的用途是什么？SiC 的优点 过去，制造商在高温环境下将碳化硅用于轴承、加热机械部件、汽车制动器甚至磨刀工具等设备。在电子和半导体应用中，SiC 的优势主要 ...2022年12月15日 在研磨工艺后的清洗环节，国内半导体清洗设备龙头盛美上海7月份推出了新型化学机械研磨后（Post-CMP）清洗设备，该设备用于制造高质量衬底化学机械研磨（CMP）工艺之后的清洗，6英寸和8英寸的配置适用于碳化硅（SiC）衬底制造，8英寸 产业加速扩张之下，碳化硅设备成入局“香饽饽”_半导体_晶炉 ...
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