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2024年1月2日 性质. 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。 在常压下2500℃时发生分解。 相对密度3.20～3. 2023年10月30日 SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。. 碳化硅原材料核心优势体现在：. （1）耐 碳化硅（SIC）的长处和难点详解； - 知乎
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2005年3月19日 针对界面态密度在禁带中的不均匀分布，并且考虑到碳化硅材料中杂质的不完全离化，分析了界面态电荷对 (沟%)碳化硅*+,-./阈值电压和跨导的影响0结果显示界面 2022年12月1日 实现碳化硅离子注入的方法. 在碳化硅工艺制造过程中，典型的高能离子注入设备主要由离子源、等离子体、吸出组件、分析磁体、离子束、加速管、工艺腔和扫 一文了解碳化硅（SiC）器件制造工艺 - ROHM技术社区
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2024年7月8日 通过细化晶粒、优化烧结工艺、引入杂质元素、复合材料增强、表面处理、热处理以及控制微观结构等策略，可以有效提升多晶碳化硅的综合性能。 超越障碍：多 2022年5月28日 氮杂质常用来调控碳化硅的宏观电学性质，科研人员结合开尔文探针显微技术和理论计算，进一步发现：氮杂质与位错的相互作用方面另有奥秘。 在掺氮过程中， 给碳化硅“看病”！浙大杭州科创中心在碳化硅缺陷研究方面 ...
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2021年11月17日 本研究采用 X 射线衍射 (XRD)、电感耦合等离子体原子发射光谱 (ICP-OES)、扫描电子显微镜 (SEM)、透射电子显微镜 (TEM) 和 X 射线光电子能谱 (XPS)。. 2018年11月18日 碳化硅（SiC）陶瓷具有高温强度大、硬度高、耐腐蚀性强、热稳定性佳、耐磨性好等优良特性，在许多领域得到广泛应用。痕量元素的含量及分布对碳化硅材料 LA-ICP-MS法测定碳化硅器件中杂质元素 - 分析测试百科网
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2021年10月30日 碳化硅是一种重要的结构和电子陶瓷材料，在需要在极端条件下保持稳定性的各种应用中都有许多用途。 在这项研究中，我们使用第一性原理方法详细研究了点 知乎专栏提供一个自由表达和随心写作的平台，让用户分享知识和见解。知乎专栏 - 随心写作，自由表达 - 知乎
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2013年12月25日 基于高纯碳化硅粉表面的杂质量很低，本文采用ICP-MS法对高纯碳化硅粉表面的Na、Al、Ti、V、Cr、Mn、Fe、Co、Ni、Cu、Zn、Cd12种痕量杂质进行测定，方法操作简便、准确、重现性好。2 天之前 该法生产的碳化硅粉体不够细，杂质多，能耗低，效率低，但由于操作工艺简单，仍被广泛用于碳化硅的制备。 以下是几种常见的固相法。 1) 机械粉碎法：将粉体颗粒状的碳化硅在外力作用下将他研磨煅烧一系列操作后得到超细粉体，该工艺及设备简单，成本也低，但效率高，缺点就是反应中易 ...碳化硅的制备及应用最新研究进展 - 汉斯出版社
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2022年12月1日 2碳化硅 晶体结构及多型夹杂缺陷的产生机制 2.1碳化硅晶体结构 碳化硅是一种由硅和碳按照严格的化学计量比组成的Ⅳ-Ⅳ族二元化合物半导体材料，其基本结构单元是Si-C正四面体，如图2（a）所示。即1个Si（C）原子与周围的4个C（Si）原子配位 ...2024年3月6日 生长SiC单晶用的SiC粉体纯度要求很高，杂质含量应至少低于0.001%，此外，碳化硅粉料的各项参数都直接影响单晶生长的质量以及电学性能。 碳化硅单晶生长工艺路线中，物理气相传输法（PVT）是目前主流的产业化方式，对于PVT法生长方式而言，碳化硅粉料对生长工艺有很大的影响。碳化硅单晶生长第一步，要纯!_合成_过程_杂质
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2023年7月4日 T/CASAS03—031碳化硅晶片表面金属元素含量的测定电感耦合等离子体质谱法1范围本文件描述了电感耦合等离子体质谱法测定碳化硅晶片表面金属元素含量的方法。本文件适用于碳化硅单晶抛光片和碳化硅外延片表面痕量金属钠、铝、钾、钙、钪、钛、钒、铬、锰、铁、钴、镍、铜、锌、银、钨、金 ...2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密堆积层碳化硅 (SiC)半导体结构及生长技术的详解 - 九域半导体科技 ...
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硅与二氧化硅和碳化硅性质的差异性 ， 为杂质能 作 够使碳化硅制品产生裂痕和 白毛等 ， 严重影 响了碳 化硅微粉在各个领域的广泛应用 ， 因此制备高纯度 王春 利 。 翟江 。 孙建 梅 （ 潍坊教 育学 院化 工 系 ， 东 青 州 22 0 ） 山 6 502019年5月7日 本发明利用碳化硅的高温难挥发（熔点2700℃，升华）的特性，在900～1200℃的条件下，含杂碳化硅粉体中杂质元素硼、铝、铁、钛、钒等与hcl气体生成低沸点的氯化物而蒸发出来，从而降低含杂碳化硅粉体中的硼、铝、铁、钛、钒等杂质元素的含 深度去除高纯碳化硅粉体中杂质元素的方法与流程
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2019年11月20日 国家标准-碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定 二次离子质谱法-编制说明-2019年11月20 日，全国半导体设备和材料标准化技术委员会材料分技术委员会在东莞主持召开了《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》的第一次工作 ...2011年3月22日 碳化硅熔点高，耐高温，有较高的强度和耐磨性好，化学性质稳定，耐腐蚀，可用于制造磨料、磨具、硅碳棒，特种耐火材料的填加料等，国内外市场需求量较大[1]。碳化硅含..碳化硅含量的测定综述 - 豆丁网
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2017年11月7日 碳化硅是由硅与碳元素以共价键结合的非金属碳化物，硬度仅次于金刚石和碳化硼。化学式为SiC。无色晶体，外表氧化或含杂质时呈蓝黑色。具有金刚石结构的碳化硅变体俗称金刚砂。金刚砂的硬度挨近金刚石，热安稳性好，2127℃时由β-碳化硅转变成α-碳化硅，α-碳化硅在2400℃依然安稳。2022年11月30日 但碳化硅中杂质原子的扩散常数极低，因此用扩散工艺实现选择性掺杂是不现实的，如图 1所示。另一方面，离子注入的温度条件相对扩散工艺较低，同时可形成更加灵活和准确的掺杂分布。图1 碳化硅材 碳化硅器件制造那些事儿（二）-电子工程专辑
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2021年4月27日 1.本发明属于化学检测技术领域，具体涉及一种碳化硅复合材料中铝、镁等杂质元素含量的测定方法。背景技术： 2.碳化硅的硬度高、耐磨性和研磨性能好，并且铀抗热冲击、抗氧化、抗化学试剂作用、抗熔盐和抗熔融金属的高稳定性。 近年来关于其化学元素检测的报道有很多，并发布了国家标准gb ...其中,杂质含量少的呈绿色,被称为绿色碳化硅;杂质含量多的呈黑色,被称为黑色碳化硅)。采用该方法生产的也可称为高温法碳化硅,它的相为α-SiC。用此方法生产的碳化硅如果要用到陶瓷生产中,还需经过粉碎与提纯处理,达到所需的纯度与粒度后方能使用。碳化硅特性_百度文库
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1 天前 本标准规定了高纯碳化硅粉体中二氧化硅、游离硅、游离碳、铝、砷、钙、铬、铜、铁、钾、镁、锰、钠、镍、铅、钛、锌等的测定方法。本标准适用于碳化硅含量范围为99.9 %～99.99 %的碳化硅粉体。2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC)是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术的详解； - 知乎
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2024年1月23日 与硅中扩散系数相比，磷、铝、硼和氮元素在碳化硅中的扩散系数都很低，因此碳化硅中需要2000℃以上的温度才能得到合理的扩散系数。 高温扩散会带来很多问题，如引入多种扩散缺陷会恶化器件的电学性能，无法使用常见的光刻胶作掩膜等等，所以离子注入工艺成为了碳化硅掺杂的唯一选择。2022年5月9日 第一性原理计算验证了 BPD 在价带最大值 (VBM) 之上产生占据缺陷态，在未掺杂的导带最小值 (CBM) 之下产生未占据缺陷态4H-碳化硅. 电子从本征缺陷和天然杂质的缺陷态转移到 BPDs 的未占据缺陷态，导致 BPDs 在未掺杂中的受主行为4H-碳化硅.4H-SiC中基面位错的氮修饰,Physical Review Applied - X-MOL
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2023年10月30日 一、碳化硅概述SiC碳化硅是由碳元素和硅元素组成的一种化合物半导体材料，是制作高温、高频、大功率、高压器件的理想材料之一。 ... 半绝缘型衬底主要通过去除晶体中的各种杂质 （尤其是浅能级杂质），来实现晶体本征高电阻率，而导电型 ...2019年10月9日 自然界中也存在天然SiC矿石（莫桑石），然而因其极其罕见，仅仅存在于年代久远的陨石坑内，所以市面上的碳化硅绝大多数都是人工合成物。纯的SiC晶体是无色透明物，工业生产出的碳化硅由于其含有 半导体届“小红人”——碳化硅 - 知乎
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2020年9月23日 1国家标准《碳化硅单晶中硼、铝、氮杂质含量的测定二次离子质谱法》编制说明（预审稿）一、工作简况1.立项目的和意义碳化硅材料是继硅和砷化镓之后发展起来的宽禁带半导体，具有禁带宽、高击穿电场、高热导率、高饱和电子漂移速度等独特的物理与电学特性，特别适合制备高电压、高功率 ...2021年8月13日 本发明涉及一种掺杂方法，尤其是一种适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法。背景技术离子注入是所有sic(碳化硅)器件的关键工艺。由于sic中杂质极低的扩散常数，无法像硅晶片一样使用扩散工艺掺杂，且在注入的激活退火中，大部分注入后杂质的扩散小到可以忽略不计。因此，为实现离子注入的箱 ...适用于碳化硅半导体器件的掺杂方法与流程 - X技术网
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2024年1月2日 高纯碳化硅为无色透明结晶或无定形粉末，含杂质的碳化硅为绿色，固溶有炭和金属氧化物杂质则呈黑色。在常压下2500℃时发生分解。相对密度3.20～3. 25,介电常数7.0，室温下电阻率102M．cm。碳化硅_化工百科 - ChemBK
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2020年3月31日 什么是碳化硅？碳化硅，又名碳化硅晶须，也称金刚砂、耐火砂、碳硅石。碳化硅的分子式是SiC。 碳化硅是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑为原料通过电阻炉高温冶炼而成。莫桑石（carborundum）是大自然中仅在一些陨石坑发现的罕见的碳化硅矿物。2014年9月9日 再次，介绍了碳化硅 材料的理论模型、计算方法以及结果的分析方法。最后，系统计算了4H．SiC的本征态电子结构和用N、P和As分别掺杂后的电子结构，包括能带结构，态密度。结果表明，4H．SiC是一种间接半导体材料。掺杂后，禁带宽度变化 ...sic材料n型掺杂的第一性原理研究 - 豆丁网
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2024年4月11日 碳化硅中碳硅键能高，杂质原子在碳化硅 中难以扩散。进一步看，在SiC功率器件掺杂工艺中，N型掺杂通常采用氮(N)元素和磷(P)元素；P型掺杂通常采用铝(Al)元素和硼(B)元素。而这些杂质原子的扩散常数系数极小，想要实现选择性掺杂，采用扩散 ...2015年9月25日 碳化硅（SiC）作为第三代半导体的代表材料，具有禁带宽度大、热导率高和临界击穿电场高等特点，所制备的光电器件在高温、强辐射等极端、恶劣条件下有巨大的应用潜力。本文综述了国内外SiC发光性质的研究现状，介绍SiC发光的实际应用，阐述了单晶、纳米晶和薄膜不同形态SiC的制备方法及发光 ...SiC发光特性及其调控研究进展 - 仁和软件
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