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2024年1月2日 中文名:碳化硅,英文名:Silicon Carbide (Black),CAS:409-21-2,化学式:CSi,分子量:40.1,密度:3.22 g/mL at 25 °C (lit.),熔点:2700 °C (lit.),沸点:2700℃,水溶性:Soluble 2023年11月29日 碳化硅，是一種無機物，化學式為SiC，是用石英砂、石油焦（或煤焦）、木屑（生產綠色碳化硅時需要加食鹽）等原料通過電阻爐高温冶煉而成。 碳化硅是一種 碳化硅_百度百科
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2020年12月7日 表 1 碳化硅主要性能指标. SiC包括250多类同素异构体，其中比较重点的有两种晶型：即β-SiC和α-SiC。 如果用SiC制备半导体，通过其自身具有的特性来减少电 碳化硅熔点-熔点的测定是确定碳化硅熔点的一种技术方法。 常见的测定方法有热分析、光度计法、热重法和高温重量法。 这些测定方法都可以用来测定碳化硅的熔点。碳化硅熔点_百度文库
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2023年6月3日 金刚砂，也称为碳化硅（SiC），是由硅和碳组成的晶体化合物。 它于 19 世纪末首次被发现，现已成为具有多种工业应用的重要材料。 碳化硅的一种特殊形式是碳 首先，碳化硅不易熔化，由于其熔点高，在高温条件下仍能保持原来的固态。 其次，碳化硅因其熔点高，在生产高温部件或电子产品方面具有重要优势。揭开碳化硅熔点的神秘面纱
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2017年8月19日 碳化硅. 物化性质. 浅黄色透明正方晶系晶体。 熔点2700℃。 相对密度3.217。 溶于融熔的氢氧化钾中，不溶于冷、热水及酸。 晶体结构规整，具有良好的化 2023年10月13日 目前我国工业生产的碳化硅分为黑色碳化硅和绿色碳化硅两种，均为六方晶体，比重为3.20～3.25，显微硬度为2840～3320kg/mm2。 纯碳化硅是无色透明的晶 碳化硅的化学性质 - 百度知道
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摘要： 运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化,表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量,Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应 ...碳化硅的熔点是指它在某一温度时会熔化的温度。 碳化硅的熔点比铁的熔点要高，通常在1400到1600华氏度（760至871摄氏度）之间。 为了保证碳化硅的性能，它的熔点必须控制在1300°F（704°C）之内，控制温度有效范围为1250°F（677°C）至1450°F（788°C）之间。碳化硅熔点 - 百度文库
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2019年7月18日 碳化硅（SiC）属于第三代半导体材料，具有1X1共价键的硅和碳化合物，其莫氏硬度为13，仅次于钻石（15）和碳化硼（14）。据说，SiC在天然环境下非常罕见，最早是人们在太阳系刚诞生的46亿年前 2020年3月31日 碳化硅是由碳原子和硅原子以共价键为主相结合而构成的化合物。共价键是四种基本的键型（离子键、共价键、金属键、分子键）中结合力最强的一种，再加上碳原子与硅原子相互作用成键时，发生了电子在壳层上的转移，形成了键能更为坚强的SP3杂化轨道，这就是碳化硅形成类金刚石的结构、具有 ...碳化硅的结构-碳化硅的结晶结构 - Silicon Carbide
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2024年1月26日 半导体碳化硅(SiC) 是一种Si元素和C元素以1:1比例形成的二元化合物，即百分之五十的硅（Si）和百分之五十的碳（C），其基本结构单元为 Si-C 四面体。而碳化硅(SiC)晶体，就是由碳原子和硅原子有序排列而成。选择碳原子（硅也可以）形成最紧密 ...2018年1月26日 碳化硅材料导热系数和热膨胀系数与温度的关系.pdf,华 南 理 工 大 学 学 报 自 然 科 学 版 第 卷 第 期 年 月 ’ 材料导热系数和热膨胀系数与温度关系 吴清仁 文 璧漩 华南理工大学无机材料科学 与工程 系 。 摘 要 研 究冷等静压 材料导热 系数和热膨胀系数与温度 的关 系 结果表 明 , 材料导热碳化硅材料导热系数和热膨胀系数与温度的关系.pdf-原创力文档
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碳化硅的熔点是多少？_百度知道 2013年7月22日 碳化硅的熔点我真的不知道，但我们做过实验，实验过程，抽真空至5Pa，然后全程氩气 (常压)保护2733℃ 烧了2小时，外形无变化，重量无变化，整个升温过程，室温到2733℃，6小时，保温2小时，保温室温度波动在2730℃～2740℃之间。碳化硅（英语： silicon carbide，carborundum ），化学式SiC，俗称金刚砂，宝石名称钻髓，为硅与碳相键结而成的陶瓷状化合物，碳化硅在大自然以莫桑石这种稀有的矿物的形式存在。 自1893年起碳化硅粉末被大量用作磨料。将碳化硅粉末烧结可得到坚硬的陶瓷状碳化硅颗粒，并可将之用于诸如汽车刹车片 ...碳化硅 - Wikiwand / articles
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2023年11月21日 冶金： 碳化硅坩埚广泛用于熔化和容纳铝、铜和其他金属及其合金。 铸造行业： 碳化硅坩埚在铸造行业中用于熔化和铸造各种金属，包括铁、钢和青铜。 玻璃制造： 碳化硅坩埚在玻璃制造中用于熔化和 精炼 玻璃材料。 半导体行业： 碳化硅坩埚在半导体行业中发挥着至关重要的作用，特别是在 ...运用分子动力学方法对比模拟研究了碳化硅的体熔化、表面熔化和晶体生长过程.分别采用MEAM 势和Tersoff势两种势函数描述碳化硅.结果表明:体熔化时,两种势函数描述的SiC的原子平均能量、Lindemann指数和结构有序参数与温度的变化关系相似,但MEAM势对应的 ...MEAM势与Tersoff势比较研究碳化硅熔化与凝固行为 - 物理学报
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2020年12月18日 Abstract: As one of important candidates for advanced aerocraft engine hot components, SiC/SiC composites would undergo oxidative and corrosive damage when subjected to high temperature 碳化硅发展趋势、难点痛点以及国内产业链解析-碳化硅发展趋势、难点痛点以及国内产业链解析碳化硅（SiC ）材料是功率半导体行业主要进步发展方向，用于制作功率器件，可显着提高电能利用率。可预见的未来内，新能源汽车是碳化硅功率器件的主要 ...碳化硅发展趋势、难点痛点以及国内产业链解析 - 百度文库
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2022年7月28日 虽然此法相比上述其他方法步骤简易许多，但因碳及SiC的熔点超过2,500℃，导致当硅先熔化成液态时，碳粉颗粒大小限制了硅液体的反应深度，当硅液体与固体碳的表面产生SiC后，硅液态因而不容易进入碳粉核心以达完全反应，此现象易造成残硅与 2024年1月14日 好，硬度大（莫氏硬度为9.5级，仅次于世界上最硬的金刚石（10级））、导热性能优良、高温抗氧化能力强等。由于天然含量甚少，碳化硅主要多为人造。第三代半导体指的是SiC、GaN、ZnO、金刚石（C）、AlN等具有宽禁带（Eg＞2一文了解碳化硅(SiC)半导体结构及生长技术 - 电子发烧友网
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6 天之前 随着工业技术的发展，碳化硅衬底尺寸不断增大，碳化硅切割技术快速发展，高效高质量的激光切割将是未来碳化硅切割的重要趋势。 -END- 原文始发于微信公众号（艾邦半导体网）： 顺应降本增效趋势，半导体碳化硅(SiC) 衬底4种切割技术详解2023年12月6日 2、碳化硅行业重点 企业营收 在中国，碳化硅行业也迅速发展，重点企业包括天岳先进、瀚天天成、山东天承等。这些企业通过引进国外先进技术或自主创新，不断提升碳化硅产品的质量和生产效率，逐渐在国内外市场中占据一席之地。其中，天 ...2023年全球及中国碳化硅（SiC）行业现状及发展趋势分析 ...
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2022年4月25日 碳化硅mosfet模块在光伏、风电、电动汽车及轨道交通等中高功率电力系统应用上具有巨大的优势。碳化硅器件的高压高频和高效率的优势，可以突破现有电动汽车电机设计上因器件性能而受到的限制，这是目前国内外电动汽车电机领域研发的重点。摘要： 综合评述了选区激光熔化(SLM)成形碳化硅颗粒增强铝基复合材料国内外研究现状,分析了选区激光熔化成形碳化硅颗粒增强铝基复合材料的技术难点,介绍了碳化硅颗粒增强铝基复合材料在航空航天领域应用案例及选区激光熔化技术优势,最后对选区激光熔化成形碳化硅颗粒增强铝基复合材料研究 ...选区激光熔化成形碳化硅颗粒增强铝基复合材料研究现状及 ...
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2024年4月19日 南京大学科技成果推介 第一百二十四篇大尺寸碳化硅激光切片设备与技术所属领域新材料（第三代半导体材料加工设备）项目介绍1. 痛点问题SiC不仅是关系国防安全的的重要技术，同时也是关于全球汽车产业和能源产业非常注重的关键技术。将生长出的晶体切成片状作为碳化硅单晶加工过程的第一 ...3.3 碳化硅的分解对碳化硅蒸发与凝聚的影响分析 试验与生产经验都表明，当重结晶碳化硅成品未出现表层沉积碳时，其蒸发凝聚完全。当有表层沉积碳且较严重时，电镜试验往往可以看到蒸发不完全的现象。说明碳化硅的分解对碳化硅蒸发与凝聚有明显的影响。重结晶碳化硅烧成中碳化硅的分解现象、热力学条件及对蒸发 ...
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2023年10月29日 对于非立方晶体，它们天生具有各向异性，即不同方向具有不同的性质。以碳化硅晶体面为例： 4H-SIC和6H-SIC的空间群是P63mc，点群是6mm。两者都属于六方晶系，具有各向异性。3C-SIC的空间群是F-43m，点群是-43m。它属于立方晶系，不具有各向2024年1月19日 碳化硅 如何实现比硅更好的热管理？另一个重要参数是热导率，它是半导体如何散发其产生的热量的指标。如果半导体不能有效散热，则器件可以承受的最大工作电压和温度会受到限制。这是碳化硅优于硅的另一个领域：碳化硅的导热率为 1490 W ...半导体碳化硅（SIC）深入认知的详解； - 知乎
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2015年5月24日 结果表明：随着氧含量的升高，碳化硅微粉的等电点从纯碳化硅的等电点趋近于石英（）的等电点。虽然碳化硅在水溶液中的分散机制类似于，但过高的氧含量对碳化硅微粉在水溶液中的分散明显不利，氧含量低时，碳化硅粉体的分散性好。知乎 - 有问题，就会有答案
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2020年6月10日 碳化硅(SiC)，又称金刚砂。1891年美国人艾契逊(Acheson) 发明了碳化硅的工业制造方法。碳化硅是用天然硅石、碳、木屑、工业盐作基本合成原料，在电阻炉中加热反应合成。其中加入木屑是为了使块状混合物在高温下形成多孔性，便于反应产生的 ...2008年1月1日 摘要 在单晶 6-H 碳化硅 (SiC) 上进行的单点金刚石车削 (SPDT) 实验表明，切屑形成类似于金属加工中的切屑形成。SiC 的延展性被认为是高压相变 (HPPT) 的结果，高压相变会产生以金属方式表现的材料塑性区。这种金属行为是使用 AdvantEdge（一种 ...单晶碳化硅单点金刚石车削数值模拟与实验对比,Journal of ...
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2015年6月23日 碳化硅材料在普通条件下（如大气中1000! 2000C）具有较好的抗氧化性能，这是由于在高温条 件下碳化硅材料表面产生了一层非常薄的、致密的、 结合牢固的SiO2 膜，氧在SiO2 膜中的扩散系数非 常小，因此碳化硅材料的氧化非常缓慢.在这种条件 下 ...2023年12月5日 1、SiC-MOSFET SiC-MOSFET是碳化硅电力电子器件研究中最受关注的器件。成果比较突出的就是美国的Cree公司和日本的ROHM公司。碳化硅MOS的结构 碳化硅MOSFET（SiCMOSFET）N+源区和P井掺杂都是采用离子注入的方式，在1700℃温度中 ...半导体碳化硅（SIC）凭什么被称为第三代半导体最重要材料？
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而碳化硅则由于碳和硅原子的共价键结构，使得其在高温下依然能够维持稳定的晶格结构，从而表现出更高的熔点。 其次是晶体缺陷。晶体缺陷对材料的熔点也会产生影响，比如点缺陷、位错和孪生体等。这些缺陷会改变晶格结构，从而影响熔点的测定。
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